ST半导体技术获电子成就奖

意法半导体(ST)宣布意法半导体完全空乏型矽绝缘层金氧半电晶体元件(FD-SOI)技术荣获全球两大知名电子技术专业媒体电子工程专辑和电子技术设计的2013年度电子成就奖(ACE)能源技术奖。电子成就奖旨在于表彰那些改变电子世界和影响人们工作、生活和娱乐方式的技术产品的人和企业。

意法半导体数位娱乐产品事业部前端制造＆制程研发执行副总裁Joel Hartmann在领奖时表示，荣获能源技术奖证明FD-SOI是一个能够同时满足低功耗和高性能需求的突破性技术，使晶片厂商能够提供满足每瓦性能和每美元每瓦性能双重标准的产品。

FD-SOI制程是28奈米及以下技术节点的传统半导体制程的升级换代技术，此项技术的优点是速度更快、制造更简单、功耗更低，现正准备投产。FD-SOI荣获能源技术奖是因为此项技术能够在两个不同方面降低二氧化碳的排放量。首先，FD-SOI晶片制程较传统CMOS制程节省15%的步骤，可直接评估单位晶片制造能耗节省效果。更重要的是，根据客户的节能与性能权衡策略，FD-SOI晶片本身可节约20%至50%的能耗，使终端设备可更快散热，并实现更长的使用寿命。

入围电子成就奖最后一轮评选的意法半导体多名高阶经理人中，意法半导体执行副总裁暨类比、微机电系统(MEMS)和感测器事业群总经理Benedetto Vigna是年度经理人(Executive of the Year)的候选人，虽然半导体市场缩减2%，但在他的领导下，意法半导体在MEMS行动和手机市场的占有率接近50%。

意法半导体网址：

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